Se um dado sistema é constituído por dois blocos, ambos com taxas de falha consideradas constantes, e tempo médio entre falhas de 1.000 horas, considerando que ambos possam falhar independentemente, o tempo médio entre falhas do sistema global é de 500 horas.

Uma causa importante de falha em circuitos eletrônicos integrados é a eletromigração, fenômeno no qual altas densidades de corrente produzem a remoção de cristais metálicos do condutor pela transferência de quantidade de movimento dos elétrons. Essa remoção causa o estreitamento do condutor e o aumento da densidade de corrente, fechando um ciclo vicioso que leva ao rompimento do condutor.

O modelo mais usado para o tempo de vida de um componente é a distribuição gaussiana. Esse modelo é conveniente por permitir a determinação analítica de muitas propriedades estatísticas. Costuma funcionar bem na prática, porque quando a incerteza final sobre um valor é resultado da soma de muitos processos aleatórios, a distribuição final do valor aproxima-se de uma gaussiana, sejam quais forem as distribuições dos fenômenos aleatórios individuais.

Para itens reparáveis, é comum supor que falhas ocorram a taxa constante, igual ao recíproco do tempo médio entre falhas. Essa suposição, que se mostra razoável em muitas situações, simplifica a análise, porque fica estabelecido um processo aleatório de propriedades teóricas bem conhecidas (processo de Poisson).

O diodo Gunn consegue operar em altas freqüências em virtude de uma junção PN especialmente abrupta.

O funcionamento do diodo IMPATT baseia-se no fenômeno de multiplicação por avalancha em junções PN reversamente polarizadas, em conjunção com o controle do tempo de trânsito dos portadores, resultando em uma região de operação com resistência negativa para sinais na faixa de microondas.

O funcionamento do diodo túnel baseia-se em um fenômeno quântico sem paralelo em física clássica: o tunelamento de elétrons. O transporte por tunelamento é muito rápido, o que permite operação em altas freqüências. Exceto por essa característica dinâmica, as curvas I × V estáticas desse dispositivo e do diodo convencional têm o mesmo formato.

Em certos amplificadores, os transistores estão ativos durante uma fração pequena do ciclo do sinal de entrada. Assim, o sinal é severamente distorcido na saída. Tais circuitos de potência não se aplicam em situações em que se deseja fidelidade (como em sistemas de áudio), mas podem ser usados com eficiência em situações em que a forma de onda de entrada não constitui o sinal em si, mas é apenas portadora dele, como em sistemas de comunicação.

Amplificadores otimizados para alto rendimento (igual ao quociente entre a potência média entregue à carga e a potência média dissipada nos transistores) são denominados amplificadores classe A.

A resposta em alta freqüência é limitada pelas capacitâncias internas aos transistores. Em particular, na configuração mostrada, a capacitância entre porta e dreno terá papel preponderante, pelo chamado efeito Miller, que faz com que o efeito dessa capacitância seja ampliado pelo ganho de tensão do estágio.