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Foram encontradas 50 questões.

432120 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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Seja uma pastilha VLSICMOS com 100.000 portas fabricadas em uma tecnologia CMOS de 1,2 μm. Se a pastilha operar com uma tensão de alimentação de 5 V e for chaveada a uma taxa de 100 MHz, o valor da potência dissipada por porta será

 

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432096 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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Um amplificador de VBE com R1 = R2 = 1,2 !$ k\Omega !$ utiliza um transistor que possui VBE = 0,6 V, IC = 1 mA e um !$ \beta !$ muito alto. O valor da corrente I que deverá ser fornecida ao multiplicador para obter uma tensão terminal de 1,2 V, será

 

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432094 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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Um amplificador fonte comum possui os seguintes dados: !$ g_m = 2 mA/V, R_0 = 50 k\Omega, X = 0,2 !$ e !$ R_L = 50 k\Omega !$. O amplificador também possui uma resistência de !$ 500 \ \Omega !$ conectada ao terminal da fonte. O valor da resistência de saída (Rout) para o amplificador é

 

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432085 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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A figura abaixo representa uma fonte de tensão cuja tensão de entrada VN não é regulada e varia de 15 V a 20 V. O diodo zener tem tensão nominal VZ de 10 V e requer no mínimo 5 mA de corrente para garantir a regulação; a carga RL é variante no tempo e consome de 0 a 5 mA.

Enunciado 432085-1

É correto afirmar que, em condições normais de funcionamento, o circuito deverá apresentar

 

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432080 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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Um capacitor de 10 µF é ligado em paralelo com um indutor de 25 mH, com uma tensão aplicada de 380 V. A frequência de ressonância aproximada do circuito é

 

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432077 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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Medidas realizadas em um TBJ que opera na saturação com corrente de base constante, produzem os seguintes dados: para iC = 5 mA, vCE = 170 mV; para iC = 2 mA, vCE = 110 mV. O valor da resistência de saturação RCEsat para essa situação é

 

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432076 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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Um diodo de junção de silício possui !$ \eta = 1 !$, v = 0,7 V e i = 1 mA. O valor da queda de tensão para i = 0,1 mA é, aproximadamente,

 

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432072 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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A simplificação da expressão !$ Z = (\bar A + D)(A + D) !$ é igual a

 

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432059 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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Dado um sinal senoidal de período igual a 500 ms, a frequência e a velocidade angular aproximadas desse sinal são, respectivamente,

 

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432048 Ano: 2013
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: UFRN
Orgão: UFRN
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O valor binário da subtração de 101110 - 101010 tem como resultado

 

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