Acerca das técnicas de deposição de filmes finos, julgue o item subsequente.

A deposição de camada atômica (ALD) é um processo que permite gerar filmes finos uniformes, no entanto, apresenta uma desvantagem com relação à precisão de espessura do material, difícil de replicar.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Quando um fotorresiste negativo é aplicado no processo de fabricação, as regiões expostas são removidas e as regiões não expostas permanecem; no caso do fotorresistente positivo, as regiões expostas permanecem e as regiões não expostas são removidas.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Fotolitografia é o processo que, para escrever em um material, utiliza luz ultravioleta, máscaras em escala nanométrica de diferentes materiais e polímeros resistentes a produtos químicos e sensíveis à luz, chamados de fotorresistes.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Na litografia ultravioleta extrema (EUVL), são emitidos, no substrato, feixes intensos de luz ultravioleta com comprimentos de ondas maiores e sem o emprego de máscaras, enquanto na litografia por feixe de elétrons (EBL), há o escaneamento de feixes de elétrons em máscaras reflexivas.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

A litografia por feixe de elétrons apresenta melhor resolução do que os processos clássicos de fotolitografia, por não ter limitações de difração óptica.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em um dispositivo MOSFET, quando a tensão aplicada entre os terminais porta-f onte é menor que a tensão limiar, os portadores de carga do dispositivo se movimentam de forma semelhante aos de um transistor bipolar.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são fabricados envolvidos em um poço tipo p.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

A mobilidade de portadores em materiais semicondutores depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.