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3404671 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Avança SP
Orgão: Pref. Morungaba-SP

A aplicação dos sistemas de antenas inteligentes proporciona alguns benefícios em sistemas de comunicações móveis, tais como:

Interprete as afirmativas a seguir e escreva verdadeiro (V) ou falso (F) e assinale a alternativa correta:

I - o sistema GSM tem três usuários por canal, com 162 símbolos por intervalo de tempo, usando uma modulação \( \pi/4 \) DQPSK (Differential Quaternary Phase Shift Keying) a uma taxa de 48,6 kb/s.

II - o sistema IS-136 tem oito usuários por canal com 156,25 bits por slot de tempo, usando uma modulação GMSK (Gaussian Filtered Minimun Shift Keying) a uma taxa de 270,833 kb/s.

III - o sistema IS-95 (CDMA) permite múltiplos usuários simultaneamente em cada canal de 1,25 MHz, com uma taxa original de 8 kbitb/s por usuário e um ganho de processamento igual a 128.

 

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3343011 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: DER-ES

Considere um Arduino Nano cuja entrada analógica A0 está conectada ao “terminal variável” de um potenciômetro que possui 5V aplicados entre seus dois terminais restantes, conforme ilustrado através da figura a seguir:

Enunciado 3778807-1

Sabendo que o canal analógico A0 possui uma resolução de 10 bits, considere o seguinte código:

// the setup routine runs once when you press reset:

void setup() {

// initialize serial communication at 9600 bits per second:

Serial.begin(9600);

}

// the loop routine runs over and over again forever:

void loop() {

// read the input on analog pin 0:

int sensorValue = analogRead(A0);

// print out the value you read:

Serial.println(sensorValue);

delay(1); // delay in between reads for stability

}

Para uma tensão de 3,3V, presente no terminal A0, determine o valor da variável sensorValue, exibido através da janela de monitoramento na IDE do Arduino.

 

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3343010 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: DER-ES

Considere a seguinte imagem do manual de fabricante, “Datasheet”, do controlador ESP32 - Séries (ESP32-D0WD, D0WDQ6, D2WD e S0WD) que descreve os endereços iniciais e finais dos diversos segmentos de memória interna integrada do ESP32:

Category Target Start Address End Address

Embedded

Memory

Internal ROM 0 0x4000_0000 0x4005_FFFF
Internal ROM 1 0x3FF9_0000 0x3FF9_FFFF
Internal SRAM 0 0x4007_0000 0x4009_FFFF
Internal SRAM 1 0x3FFE_0000 0x3FFF_FFFF
0x400A_0000 0x400B_FFFF
Internal SRAM 2 0x3FFA_E000 0x3FFD_FFFF
RTC FAST Memory 0x3FF8_0000 0x3FF8_1FFF
0x400C_0000 0x400C_1FFF
RTC SLOW Memory 0x5000_0000 0x5000_1FFF

Sabe-se que a SRAM do ESP32 conta com 3 segmentos divididos em SRAM 0, SRAM 1 e SRAM 2 cujas capacidades de memória são, respectivamente:

 

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3342999 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: DER-ES

Um sistema de comunicação analógica baseado em um receptor super-heteródino, tem seu diagrama de blocos dado por:

Enunciado 3778795-1

A ideia básica do sistema é que uma emissora qualquer, centrada na frequência fc seja captada pela antena e tenha seu sinal amplificado pelo amplificador rf na entrada. O misturador, através do oscilador local, ajusta a frequência fLO de tal maneira que apenas a referida emissora “atravesse” o filtro seletivo com frequência fIF. Para que este princípio básico seja satisfeito, a correlação destas frequências deve ser

 

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3342993 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: DER-ES

Determine a alternativa que não se apresenta como característica, para uma fonte chaveada do tipo Flyback.

 

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3342991 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: DER-ES

Considere o seguinte circuito RLC, descrito na figura a seguir.

Enunciado 3778787-1

Admitindo as condições iniciais nulas no sistema, a função de transferência que correlaciona a tensão de entrada \( Vi \) com a tensão no capacitor \( Vc \), no domínio da frequência \( H(s) = Vc(s) / Vi(s) \) é expressa por

 

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3342985 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IDECAN
Orgão: DER-ES

A resistência de um material fornece uma medida relativa à oposição ao fluxo de corrente elétrica de um determinado circuito. Em elementos ôhmicos, a variação relativa da resistência elétrica de um material em relação a alteração em sua temperatura é conhecida como coeficiente de temperatura (\( \alpha \)), e junto com a resistividade elétrica do material (\( \rho \)), pode ser utilizada para planejar equipamentos e instalações elétricas sob determinadas características específicas. A respeito do coeficiente de temperatura temos que o mesmo deve ser expresso em uma unidade de medida, identificada por

 

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3316765 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-ES
Orgão: IF-ES

Considere o transistor PMOS tipo enriquecimento com tensão de limiar \( V \)\( t \) = −1 \( V \) e valor de \( k \)'\( p \) (\( W \)/\( L \)) = 1 \( m \)A/\( V \)2, mostrado no circuito abaixo. Qual o valor de resistência \( R \) para uma tensão V = +3 \( V \) e o maior valor de \( R \) para que o transistor se mantenha na região de saturação, respectivamente? Considere ainda a corrente I = 0,5 \( m \)A. Despreze qualquer efeito de modulação do comprimento do canal.

Enunciado 3714153-1

 

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3316554 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-ES
Orgão: IF-ES

A Norma IEC 61131 define cinco linguagens de programação. Marque a opção que correlaciona CORRETAMENTE o trecho de código a sua respectiva linguagem de programação.

Enunciado 3714177-1

 

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3316552 Ano: 2023
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: IF-ES
Orgão: IF-ES

A Norma IEC 61131 estabelece o desenvolvimento de programas a partir da abordagem de cima para baixo e de baixo para cima, fundamentada por três princípios. Marque a opção que apresenta esses princípios:

 

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