Foram encontradas 20.519 questões.
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: Avança SP
Orgão: Pref. Morungaba-SP
A aplicação dos sistemas de antenas inteligentes proporciona alguns benefícios em sistemas de comunicações móveis, tais como:
Interprete as afirmativas a seguir e escreva verdadeiro (V) ou falso (F) e assinale a alternativa correta:
I - o sistema GSM tem três usuários por canal, com 162 símbolos por intervalo de tempo, usando uma modulação \( \pi/4 \) DQPSK (Differential Quaternary Phase Shift Keying) a uma taxa de 48,6 kb/s.
II - o sistema IS-136 tem oito usuários por canal com 156,25 bits por slot de tempo, usando uma modulação GMSK (Gaussian Filtered Minimun Shift Keying) a uma taxa de 270,833 kb/s.
III - o sistema IS-95 (CDMA) permite múltiplos usuários simultaneamente em cada canal de 1,25 MHz, com uma taxa original de 8 kbitb/s por usuário e um ganho de processamento igual a 128.
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Considere um Arduino Nano cuja entrada analógica A0 está conectada ao “terminal variável” de um potenciômetro que possui 5V aplicados entre seus dois terminais restantes, conforme ilustrado através da figura a seguir:

Sabendo que o canal analógico A0 possui uma resolução de 10 bits, considere o seguinte código:
// the setup routine runs once when you press reset:
void setup() {
// initialize serial communication at 9600 bits per second:
Serial.begin(9600);
}
// the loop routine runs over and over again forever:
void loop() {
// read the input on analog pin 0:
int sensorValue = analogRead(A0);
// print out the value you read:
Serial.println(sensorValue);
delay(1); // delay in between reads for stability
}
Para uma tensão de 3,3V, presente no terminal A0, determine o valor da variável sensorValue, exibido através da janela de monitoramento na IDE do Arduino.
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Considere a seguinte imagem do manual de fabricante, “Datasheet”, do controlador ESP32 - Séries (ESP32-D0WD, D0WDQ6, D2WD e S0WD) que descreve os endereços iniciais e finais dos diversos segmentos de memória interna integrada do ESP32:
| Category | Target | Start Address | End Address |
|
Embedded Memory |
Internal ROM 0 | 0x4000_0000 | 0x4005_FFFF |
| Internal ROM 1 | 0x3FF9_0000 | 0x3FF9_FFFF | |
| Internal SRAM 0 | 0x4007_0000 | 0x4009_FFFF | |
| Internal SRAM 1 | 0x3FFE_0000 | 0x3FFF_FFFF | |
| 0x400A_0000 | 0x400B_FFFF | ||
| Internal SRAM 2 | 0x3FFA_E000 | 0x3FFD_FFFF | |
| RTC FAST Memory | 0x3FF8_0000 | 0x3FF8_1FFF | |
| 0x400C_0000 | 0x400C_1FFF | ||
| RTC SLOW Memory | 0x5000_0000 | 0x5000_1FFF |
Sabe-se que a SRAM do ESP32 conta com 3 segmentos divididos em SRAM 0, SRAM 1 e SRAM 2 cujas capacidades de memória são, respectivamente:
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Um sistema de comunicação analógica baseado em um receptor super-heteródino, tem seu diagrama de blocos dado por:

A ideia básica do sistema é que uma emissora qualquer, centrada na frequência fc seja captada pela antena e tenha seu sinal amplificado pelo amplificador rf na entrada. O misturador, através do oscilador local, ajusta a frequência fLO de tal maneira que apenas a referida emissora “atravesse” o filtro seletivo com frequência fIF. Para que este princípio básico seja satisfeito, a correlação destas frequências deve ser
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Determine a alternativa que não se apresenta como característica, para uma fonte chaveada do tipo Flyback.
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Considere o seguinte circuito RLC, descrito na figura a seguir.

Admitindo as condições iniciais nulas no sistema, a função de transferência que correlaciona a tensão de entrada \( Vi \) com a tensão no capacitor \( Vc \), no domínio da frequência \( H(s) = Vc(s) / Vi(s) \) é expressa por
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A resistência de um material fornece uma medida relativa à oposição ao fluxo de corrente elétrica de um determinado circuito. Em elementos ôhmicos, a variação relativa da resistência elétrica de um material em relação a alteração em sua temperatura é conhecida como coeficiente de temperatura (\( \alpha \)), e junto com a resistividade elétrica do material (\( \rho \)), pode ser utilizada para planejar equipamentos e instalações elétricas sob determinadas características específicas. A respeito do coeficiente de temperatura temos que o mesmo deve ser expresso em uma unidade de medida, identificada por
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Considere o transistor PMOS tipo enriquecimento com tensão de limiar \( V \)\( t \) = −1 \( V \) e valor de \( k \)'\( p \) (\( W \)/\( L \)) = 1 \( m \)A/\( V \)2, mostrado no circuito abaixo. Qual o valor de resistência \( R \) para uma tensão V = +3 \( V \) e o maior valor de \( R \) para que o transistor se mantenha na região de saturação, respectivamente? Considere ainda a corrente I = 0,5 \( m \)A. Despreze qualquer efeito de modulação do comprimento do canal.

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A Norma IEC 61131 define cinco linguagens de programação. Marque a opção que correlaciona CORRETAMENTE o trecho de código a sua respectiva linguagem de programação.

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A Norma IEC 61131 estabelece o desenvolvimento de programas a partir da abordagem de cima para baixo e de baixo para cima, fundamentada por três princípios. Marque a opção que apresenta esses princípios:
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