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2059821 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: TELEBRAS

Enunciado 2059821-1

Considerando-se os dados do circuito anterior, julgue o item que se segue.

As capacitâncias parasitárias dependem da geometria dos transistores e são diretamente proporcionais à largura do dreno.

 

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2059820 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: TELEBRAS

Enunciado 2059820-1

Considerando-se os dados do circuito anterior, julgue o item que se segue.

O efeito de modulação do comprimento do canal é mais pronunciado em transistores menores.

 

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2059819 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: TELEBRAS

Enunciado 2059819-1

Considerando-se os dados do circuito anterior, julgue o item que se segue.

A saída será 1 se ambas as entradas estiverem no nível lógico 1.

 

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2059818 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: TELEBRAS

Enunciado 2059818-1

Considerando-se os dados do circuito anterior, julgue o item que se segue.

A topologia apresentada tem melhor desempenho quanto à dissipação de potência, embora tenha perda de velocidade em relação aos circuitos NMOS.

 

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2059321 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: TELEBRAS

Julgue o próximo item, relativos à eletrônica analógica e digital.

Um transistor é um componente eletrônico semicondutor que consiste em duas camadas de material do tipo p e uma camada de material do tipo n (os transistores pnp); ou de duas camadas de material do tipo n e uma camada de material do tipo p (os transistores npn).

 

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2059320 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: TELEBRAS

Julgue o próximo item, relativos à eletrônica analógica e digital.

Os circuitos integrados construídos com base na tecnologia MOS geralmente são constituídos de MOSFETs, que são transistores de efeito de campo cuja estrutura básica contém um eletrodo de metal e um óxido isolante sobre um substrato de semicondutor.

 

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2059319 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: TELEBRAS

Julgue o próximo item, relativos à eletrônica analógica e digital.

As características semicondutoras de um diodo são provenientes do material de construção do diodo; em geral, um diodo possui duas camadas: uma de material do tipo n, construído geralmente com germânio e uma de material do tipo p, construído geralmente com silício.

 

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2045077 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESGRANRIO
Orgão: Eletronuclear
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A Figura a seguir mostra um sinal temporal v(t) que representa um pulso retangular.

Enunciado 3335586-1

A Transformada de Fourier (TF) aplicada ao sinal é obtida pela integral:

!$ V (\omega) = \int\limits_{-\infty}^{\infty} v (t) e ^{- j \omega t} dt !$

O resultado dessa integral será uma função complexa V(ω), que tem como argumento a frequência angular, representada pela variável ω[rad/s].

Considerando-se os dados da Figura, a expressão dessa Transformada de Fourier é

 

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2045076 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESGRANRIO
Orgão: Eletronuclear
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O gráfico mostrado na Figura a seguir apresenta a resposta ao degrau de um sistema de 2ª ordem. Esse sistema é representado pela seguinte Função de Transferência entre entrada e saída, onde o parâmetro B é desconhecido:

Enunciado 3335584-1

Com base nos dados da Figura, os valores do parâmetro B e os da Razão de Amortecimento do sistema são, respectivamente,

 

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2045075 Ano: 2022
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESGRANRIO
Orgão: Eletronuclear
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O diagrama em blocos da Figura mostra um sistema linear, cujos blocos estão representados por Funções de Transferência em Laplace, configurando uma estrutura de Controle e Servomecanismos. A estrutura encontra-se em malha fechada, utilizando uma realimentação negativa de saída.

Enunciado 3335582-1

Para que o sistema, em malha fechada, tenha uma razão de amortecimento de 0,5, o valor do ganho K será

 

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