Analise o capacitor C e o gráfico da sua tensão \( v(t) \) em Volts.

Considerando o intervalo de tempo do gráfico, assinale a opção que apresenta, respectivamente, o maior valor absoluto da corrente \( i(t) \) e o maior valor de energia armazenada no capacitor.

Considere o circuito abaixo, que contém um amplificador operacional ideal.

Assinale a opção que apresenta a função de transferência H(s) = E_o(s)/E\( i \)(s).

Dados:

R₁ = 10 k\( \Omega \);

R₂ = 100 k\( \Omega \),e

C = 100 \( \mu \)F.

Em projetos de circuitos com Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) de canal n tipo enriquecimento, a polarização do MOSFET é uma etapa essencial. Para obter a saturação como modo de operação, é comum garantir a formação do canal n e fazer a interconexão de dois de seus terminais. Essa configuração é amplamente utilizada para projeto de espelhos de corrente. Nessa configuração, os terminais curtoscircuitados são

O Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET) tipo enriquecimento de canal n é um transistor de quatro terminais, sendo eles: porta (G), dreno (D), fonte (S) e corpo (B). Na maioria das aplicações, o terminal do corpo (B) é interconectado ao terminal da fonte (S), reduzindo o número de terminais para três. Nessa configuração, as tensões de Corrente Contínua (DC) dos terminais de porta (V_G), dreno (V_D) e fonte (V_S) determinam o ponto de polarização do dispositivo. Além disso, a análise do ponto de operação leva em consideração a tensão de limiar (V_t). A diferença de potencial entre dois terminais, como por exemplo entre os terminais D e S, utiliza a notação V_DS. Para operação como amplificador de sinais, o MOSFET é colocado na região de operação conhecida como saturação. Nessa região de operação

Em um Circuito Integrado (CI) podem ser encontradas milhares de portas lógicas construídas sobre um material semicondutor, como por exemplo, o silício. A escala de integração e consequentemente a dimensão física do CI depende da tecnologia (Lógica Transistor-Transistor (TTL) ou Semicondutor Complementar de Óxido Metálico (CMOS)) e dos dispositivos (Transistor Bipolar de Junção (TBJ) ou Transistor de Efeito de Campo (FET)) utilizados na construção do CI. Os CIs serão menores e comportarão maior número de portas lógicas, à medida que for intensificado o uso de dispositivos do tipo

Durante o processo de análise de circuitos combinacionais para construção de um circuito lógico físico, a etapa de simplificação de expressões lógicas é muito importante, pois essa simplificação tem o potencial de reduzir a complexidade do circuito e o número de elementos utilizados. Um método sistemático para simplificar expressões booleanas é conhecido como

Os teoremas da álgebra booleana são fundamentais para guiar o projetista de sistemas lógicos no desenvolvimento, análise e simplificação de circuitos. Assumindo X, Y e Z como variáveis lógicas, em que Y é a saída de uma porta lógica NOT com entrada X, um teorema válido da álgebra booleana é

Em sistemas de telecomunicações modernos, é comum o uso de dispositivos conversores de sinais analógicos em digitais para transmissão de sinais de informação. São processos de um dispositivo conversor de sinal analógico para digital

Some os números hexadecimais abaixo. O resultado converta para números binários:

F8₍₁₆₎ + 9A₍₁₆₎;

Assinale a alternativa correta. O circuito a seguir representa um: