Analise as sentenças a seguir, referentes a uma etapa de fabricação de microeletrônica:

I) O processo de difusão consiste em mover átomos dopantes para dentro da estrutura cristalina de um semicondutor, a partir de uma região com alta concentração para outra com baixa concentração.

II) A difusão é um processo que depende fortemente da temperatura, sendo usualmente realizada em faixas de temperatura entre 700 e 1200 °C.

III) No processo de difusão, a profundidade com que as impurezas se difundem é somente função da temperatura.

Estão corretas as sentenças:

Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε₀ = 8,85 x 10^-12 F/m e a permissividade relativa do óxido ε_ox = 4)

Ao longo dos trinta e quatro anos de existência das Normas Regulamentadoras, muitos foram os decretos e portarias que as corrigiram, as adequaram e as atualizaram. Uma das mais recentes alterações, de 23/03/2012, alterou o item 16.7 da NR 16 sobre atividades e operações perigosas. A Portaria que alterou esta NR foi a

Uma das tecnologias usuais para a obtenção de água ultrapura é a Osmose Reversa. Comparada a outros processos utilizados para a remoção de íons em águas industriais, a osmose reversa tem a vantagem de dispensar a etapa de regeneração, um processo que interrompe a produção, e ao mesmo tempo, consome uma grande quantidade de produtos químicos (ácidos e bases fortes). Como desvantagem, existe a geração de um fluxo de rejeito, solução com elevadas concentrações de sais em volumes de até 50% da alimentação total. Analisando a figura abaixo, pode-se constatar que a osmose reversa é obtida quando a pressão aplicada é

Na análise financeira, os gerentes decidem quais índices revelam as relações mais importantes para seus negócios. O índice financeiro que indica a capacidade da organização de cumprir com suas obrigações de dívida correntes denomina-se Índice:

O Sistema Internacional de Unidade (SI) é um sistema coerente de unidades adotado e recomendado pela Conferência Geral de Pesos e Medidas (CGPM), o qual é baseado em algumas unidades-base. Acerca desse assunto, pode-se afirmar que as unidades-base para as grandezas intensidade luminosa, quantidade de matéria e temperatura termodinâmica são, respectivamente,

Num modelo de entidades e relacionamentos, o objeto existente no mundo real com uma identificação distinta e significado próprio é chamado de

O estudo e desenvolvimento de processos de oxidação de Si permitiram em 1960 o desenvolvimento do transistor de efeito de campo com porta isolada, ou seja, o transistor MOSFET ou simplesmente MOS. Os dispositivos MOS apresentavam uma interface SiO₂/Si de muito boa qualidade, com baixa densidade de estados de superfície. Mas, apesar disso, apresentavam uma estabilidade pobre, causando um atraso de mais de 10 anos para seu uso em grande escala. O motivo desse problema era a falta de controle de contaminação de impurezas. Mais especificamente, as impurezas responsáveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causam um desvio na tensão de limiar dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). Dentre as impurezas catiônicas possíveis, tem-se a impureza de

Assinale a alternativa que identifique corretamente o método com as seguintes características:

I) Este método pode ser utilizado para realizar a conexão entre terminais de um chip e uma placa de circuito impresso diretamente, sem a necessidade de encapsulamento do chip.

II) É um método de baixo custo que consiste na conexão de fios, usualmente ouro, alumínio ou cobre, aos terminais de um chip, permitindo a ligação a um encapsulamento que facilite o manuseio e a utilização em circuito mais complexo.

O processo no qual uma entidade externa e independente, devidamente acreditada, emite um certificado que atesta que determinado produto, processo ou serviço está em conformidade com os requisitos de um dado referencial é chamado de