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Foram encontradas 120 questões.

84021 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

Resina de epóxi (epoxy glass) é um isolante bastante utilizado em placas de circuito impresso.

 

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84020 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

O dióxido de silício pode ser depositado mais facilmente que o pollimido, que é um polímero orgânico.

 

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84019 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

Se o poliimido for utilizado no empacotamento, deve-se cuidar para que não haja contaminantes que possam ser prejudiciais aos circuitos integrados.

 

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84018 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

Quanto maior for a constante dielétrica da cerâmica, menor será o valor das capacitâncias associadas às interconexões.

 

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84017 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

O óxido de alumínio é o substrato cerâmico mais comum.

 

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84016 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

Entre as cerâmicas, o carbeto de silício possui valor de coeficiente de expansão térmica mais próximo ao do silício e, por isso, não pode ser ligado diretamente à lâmina de silício sem gerar estresse em ambos os materiais.

 

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84015 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

Carbeto de silício, nitrito de alumínio, óxido de berílio e óxido de alumínio são algumas das cerâmicas utilizadas em empacotamento eletrônico.

 

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Questão presente nas seguintes provas
84014 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

Molibdênio, apesar de não ser um condutor elétrico tão bom quanto o cobre, possui um alto ponto de fusão. Essa característica não o torna apropriado para substratos cerâmicos com vários níveis de interconexões.

 

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Questão presente nas seguintes provas
84013 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Elétrica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

O alumínio possui resistividade elétrica maior que a prata e o cobre, o que o torna menos compatível com empacotamento de aplicações de alta velocidade.

 

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Questão presente nas seguintes provas
84012 Ano: 2008
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: CESPE / CEBRASPE
Orgão: CTI

material

condutividade
térmica
(W/cm.K)
coeficiente
de expansão
térmica
(10-6 x K-1 )
constante
dielétrica
resistência
elétrica
(!$ \mu \Omega !$. cm)

metais:

prata

4,3 19,0 1,6

cobre

4,0 17,0 1,7

alumínio

2,3 23,0 2,8

tungstênio

1,7 4,6 5,3

molibdênio

1,4 5,0 5,3

semicondutor:

silício

1,5 2,5

substratos isolantes:

11,8

carbeto de silício (SiC)

2,2 3,7 42,0

óxido de berílio (BeO)

2,0 6,0 6,7

óxido de alumínio

0,3 6,0 9,5

(AR2O3)

dióxido de silício (SiO2)

0,01 0,5 3,9

poliimido

0,004 3,5

resina de epóxi

0,004 15,0 5,0

H. B. Bakoglu. Circuits, interconnections and packaging for VLSI. 1.ª ed., EUA: Addison-Wesley, 1990.

Considerando os dados apresentados na tabela acima, julgue o item.

O cobre possui valores de condutividade térmica e elétrica muito próximos aos da prata. Entretanto, a prata é de custo mais baixo que o cobre.

 

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