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1376606 Ano: 2012
Disciplina: Direito Administrativo
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC

Nos termos da Lei do Processo Administrativo (Lei nº 9784/99), as intimações que envolvam o comparecimento do destinatário devem ser encaminhadas com determinado prazo de antecedência. Esse prazo é de

 

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1376600 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
O valor mínimo possível para o coeficiente da prioridade do risco para um determinado tipo de falha, considerando que as classificações de gravidade, ocorrência e detecção podem ser graduadas de 1 a 10, é igual a
 

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Analise as seguintes afirmativas:
1. Segundo a ITIL V3 , os clientes devem ter amplo acesso às informações sobre todos os serviços constantes do Portfólio de uma organização de TI.
2. Gerenciamento de Mudanças, Gerenciamento da Configuração e de Ativos de Serviço e Avaliação são Processos do Ciclo de Transição de Serviço.
3. O ciclo de transição de serviços não tem como um de seus objetivos documentar e manter informações e conhecimentos sobre mudanças nos serviços.
Assinale a opção que se refere corretamente aos três itens acima.
 

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1376565 Ano: 2012
Disciplina: Gerência de Projetos
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Um projeto, ao ser desenvolvido sob contrato de serviços, deve ter sua descrição fornecida por um dos participantes nesse processo. Quem é esse interveniente?
 

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1376555 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Gases se comportam como ideais quando em pressões muito baixas. A taxa de incidência das moléculas do gás residual em uma câmara de vácuo depende diretamente da pressão e é dada por
!$ \Phi={2,63\mathrm{x}10^{20}P\over\sqrt{MT}}(cm^{{-2_s}-1}) !$
onde P é dado em Pa, M é o peso molecular e T é expresso em K.
No processo de deposição do filme de Al apresentado na Questão 30 sabe-se que a pressão parcial de oxigênio na câmera era de 1 x 10-6 Pa. As moléculas de oxigênio tem M = 32, e o número de Avogrado é igual a 6,022 x 1023 moléculas /mol. Avalie a contaminação máxima por oxigênio no filme de alumínio depositado devido à presença do gás.
 

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1376537 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Eletrônica
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
As coberturas antirrefletoras (ARC) em fotolitografia são utilizadas para
 

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1376500 Ano: 2012
Disciplina: Direito do Trabalho
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
Com relação ao direito de férias presente na CLT, é correto afirmar que, após cada período de 12 (doze) meses de vigência do contrato de trabalho, o empregado terá direito a férias na seguinte proporção:
 

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Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada epitaxial do tipo p, e a possibilidade de poços n contidos dentro da camada epitaxial. Qual das afirmativas abaixo é falsa?
 

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1376494 Ano: 2012
Disciplina: Engenharia Química
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
A definição do padrão metálico sobre a superfície plana de um material semicondutor é feita, basicamente, por 2 (dois) métodos. Em um, o metal é primeiro depositado sobre a superfície do semicondutor e, posteriormente, corroído seletivamente utilizando-se técnicas fotolitográficas. No outro, a deposição do metal é seletiva. Esta última técnica é comumente chamada “lift off”. Esse processo é assim chamado, porque as partes da superfície nas quais não se deseja o metal são recobertas por fotoresiste, que será removido por meio do solvente adequado após a deposição do metal, levando consigo o metal que o recobre. A figura abaixo, ilustra esses 2 (dois) processos. Antes de se proceder a revelação, mergulha-se a amostra em solvente. Isso se destina a alterar o perfil vertical do fotoresiste nas bordas do padrão, facilitando o processo de “lift off”. Idealmente, a parte da camada do metal em contato com a superfície do semicondutor deve estar desconectada da camada sobre o fotoresiste que será retirada. Dentre os solventes que podem ser utilizados para este fim se destaca
Enunciado 1376494-1
 

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1376480 Ano: 2012
Disciplina: Gerência de Projetos
Banca: FUNRIO
Orgão: CEITEC
O/A -------------------------- é o produto a ser entregue no nível mais baixo da Estrutura Analítica do Projeto.
Preenche corretamente a lacuna a seguinte alternativa:
 

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