Com respeito às diferentes tecnologias de encapsulamento utilizadas em processos de empacotamento eletrônico, julgue o item a seguir.

A tecnologia de encapsulamento de circuitos integrados denominada de DIP (dual in-line packaging) emprega tanto invólucros cerâmicos quanto plásticos. Devido à robustez mecânica obtida com esta tecnologia, ela é predominantemente empregada no encapsulamento de circuitos VLSI, isto é, circuitos integrados em escala muito ampla.

Circuitos integrados modernos, tanto analógicos quanto digitais, utilizam transistores de efeito de campo do tipo metal-óxidosemicondutor, denominados MOSFETs. A tecnologia CMOS explora o emprego simultâneo de MOSFETs de canal n (NMOS) e de MOSFETs de canal p (PMOS), tornando possível o uso de técnicas de projeto extremamente poderosas. Com respeito às etapas de fabricação de estruturas CMOS em circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Antes do encapsulamento de um circuito integrado, é feita a interconexão elétrica dos terminais do encapsulamento aos pontos de contato correspondentes do circuito. Para a interconexão, fios de cobre muito finos são geralmente utilizados.

Circuitos integrados modernos, tanto analógicos quanto digitais, utilizam transistores de efeito de campo do tipo metal-óxidosemicondutor, denominados MOSFETs. A tecnologia CMOS explora o emprego simultâneo de MOSFETs de canal n (NMOS) e de MOSFETs de canal p (PMOS), tornando possível o uso de técnicas de projeto extremamente poderosas. Com respeito às etapas de fabricação de estruturas CMOS em circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Para que ocorra o processo de dopagem do substrato de silício, é necessária a abertura (corrosão por agentes químicos) de janelas na camada de óxido previamente crescida sobre o substrato. A fotolitografia é o processo físico que possibilita a delineação precisa dessas janelas.

Circuitos integrados modernos, tanto analógicos quanto digitais, utilizam transistores de efeito de campo do tipo metal-óxidosemicondutor, denominados MOSFETs. A tecnologia CMOS explora o emprego simultâneo de MOSFETs de canal n (NMOS) e de MOSFETs de canal p (PMOS), tornando possível o uso de técnicas de projeto extremamente poderosas. Com respeito às etapas de fabricação de estruturas CMOS em circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Camadas de silício policristalino, com características fortemente dopadas para constituição de regiões de alta condutividade, podem ser usadas para interconectar dispositivos em circuitos integrados CMOS. O processo de deposição de camadas de silício no próprio substrato de silício chama-se epitaxia.

Circuitos integrados modernos, tanto analógicos quanto digitais, utilizam transistores de efeito de campo do tipo metal-óxidosemicondutor, denominados MOSFETs. A tecnologia CMOS explora o emprego simultâneo de MOSFETs de canal n (NMOS) e de MOSFETs de canal p (PMOS), tornando possível o uso de técnicas de projeto extremamente poderosas. Com respeito às etapas de fabricação de estruturas CMOS em circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Os processos de difusão e de implantação de íons são utilizados para introduzir impurezas no substrato de silício, estabelecendo regiões com concentrações bem definidas de dopantes para síntese de estruturas NMOS e PMOS. Para a obtenção de um perfil de impurezas mais acurado e reprodutível, o processo de difusão é preferível ao processo de implantação de íons.

Circuitos integrados modernos, tanto analógicos quanto digitais, utilizam transistores de efeito de campo do tipo metal-óxidosemicondutor, denominados MOSFETs. A tecnologia CMOS explora o emprego simultâneo de MOSFETs de canal n (NMOS) e de MOSFETs de canal p (PMOS), tornando possível o uso de técnicas de projeto extremamente poderosas. Com respeito às etapas de fabricação de estruturas CMOS em circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Na síntese de MOSFETs, normalmente são utilizadas lâminas de silício de alta pureza. Para a deposição do óxido sobre o substrato semicondutor, o único processo eficiente disponível atualmente é a oxidação em fornos especiais ultra-limpos e de alta temperatura (entre 1.000 ºC e 1.200 ºC).

Com respeito aos procedimentos de instalação elétrica e manutenção preventiva e corretiva de equipamentos eletrônicos, julgue o próximo item.

Em determinadas situações, equipamentos eletrônicos complexos, exibindo mau funcionamento ou completamente danificados, podem ser reparados com simplicidade. De forma geral, um procedimento simples, seguro e eficaz de manutenção corretiva é substituir o suposto componente defeituoso do equipamento em manutenção por outro componente confiável do mesmo tipo.

Com respeito aos procedimentos de instalação elétrica e manutenção preventiva e corretiva de equipamentos eletrônicos, julgue o próximo item.

Um bom procedimento para manutenção preventiva dos equipamentos eletrônicos de um laboratório é a inspeção regular do aterramento. Além de choque elétrico ao usuário, alguns problemas relacionados com aterramento deficiente podem ser assim identificados: travamento frequente de computadores; interferências e oscilações nas imagens de monitores de vídeo; queima de cicuitos integrados e placas eletrônicas supostamente novos e funcionais; resposta excessivamente rápida dos sistemas de proteção, como fusíveis e disjuntores.

Com respeito aos procedimentos de instalação elétrica e manutenção preventiva e corretiva de equipamentos eletrônicos, julgue o próximo item.

Na instalação de determinados equipamentos eletrônicos, normas de segurança determinam que a carcaça (massa) do equipamento seja conectada a uma haste metálica de aterramento por um fio denominado terra. O fio de alimentação denominado neutro também deve ser conectado a essa haste de aterramento para evitar o problema de desbalanceamento de fases.

Com respeito aos procedimentos de instalação elétrica e manutenção preventiva e corretiva de equipamentos eletrônicos, julgue o próximo item.

Considerando-se que um forno de microondas seja especificado para operar com uma tensão c.a. de alimentação de 220 V e se precise utilizá-lo em uma residência alimentada com uma tensão c.a. de 110 V, a conexão do forno à rede elétrica deverá ser feita por meio de um transformador arbitrário com razão de espiras do primário para o secundário de 2:1.